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O processo de dopagem consiste em substituirmos átomos do elemento formador do retículo por átomos cujo tamanho seja aproximadamente o mesmo. No caso do Silício ou do Germânio, é comum dopá-los com elementos da família 13 ou 15 a fim de obterem-se semicondutores do tipo p ou n, respectivamente. No processo de dopagem, a estrutura do cristal permanece inalterada.
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